RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.7
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
12.7
Скорость записи, Гб/сек
6.7
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1857
2256
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link