RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB против Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.7
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2009
3083
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBNS 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link