Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 40

Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 32
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 17.4
Скорость записи, Гб/сек

7.8 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2125 3137

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 9905702-184.A00G 8GB

Kingston 9905702-184.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston 9905625-036.A00G 16GB

Kingston 9905625-036.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

модули RAM