RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
54
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
54
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2125
2938
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link