Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Средняя оценка

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 37

Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.2 11.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

18.1 5.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 25
Скорость чтения, Гб/сек

11.1 20.2
Скорость записи, Гб/сек

5.8 18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1807 4046

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

модули RAM