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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
比较
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
总分
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
5.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
11.1
20.2
写入速度,GB/s
5.8
18.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1807
4046
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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