Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 33

Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 14.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.8 8.8

Среднее значение в тестах

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

22 33
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 14.7
Скорость записи, Гб/сек

9.8 8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2510 2498

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

модули RAM

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB

Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

модули RAM