RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Сравнить
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1489
2646
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link