RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
4.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
71
Скорость чтения, Гб/сек
7.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
4.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
969
1902
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link