RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1917
2865
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link