RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
20.6
Скорость записи, Гб/сек
5.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1731
3819
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link