RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
38
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1906
2483
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link