RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3693
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link