RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2605
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link