RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
3000
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link