RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
53
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
53
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
10.1
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2319
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link