RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
53
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
53
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2319
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M392B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link