RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.2
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
12.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1540
2443
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link