RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сравнить
Kingston HX318C10FK/4 4GB против Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
69
Около -214% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
4.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
22
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
18.4
Скорость записи, Гб/сек
4.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1116
3178
Kingston HX318C10FK/4 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link