RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Kingston HX318C10FK/4 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
73
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
4.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
73
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
15.1
Скорость записи, Гб/сек
4.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1116
1724
Kingston HX318C10FK/4 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link