RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сравнить
Kingston K1N7HK-ELC 2GB против Micron Technology 8G2666CL19 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.7
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1820
3040
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link