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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
12.6
16.5
写入速度,GB/s
7.7
13.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
3040
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
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Micron Technology 8G2666CL19 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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