RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2760
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link