RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
67
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
67
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
1850
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link