RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Kingston K531R8-MIN 4GB против Kingston 9905678-007.A00G 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston K531R8-MIN 4GB Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Kingston 9905678-007.A00G 8GB Причины выбрать
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 28
    Около -22% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.6 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.2 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 16.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 12.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2445 left arrow 2922

Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Kingston 9905678-007.A00G 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
модули RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
модули RAM
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
модули RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
модули RAM
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
модули RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
модули RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
модули RAM