RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
52
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2306
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link