RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2148
2711
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link