RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сравнить
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
35
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
32
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3084
2091
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link