RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сравнить
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
46
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
14.9
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3501
2717
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link