RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Сравнить
Kingston KN2M64-ETB 8GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
47
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
18.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2037
3596
Kingston KN2M64-ETB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link