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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
比较
Kingston KN2M64-ETB 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
总分
Kingston KN2M64-ETB 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KN2M64-ETB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
11.7
18.5
写入速度,GB/s
8.0
14.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2037
3596
Kingston KN2M64-ETB 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
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