Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против AMD R744G2400U1S-UO 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Средняя оценка

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 66

Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.5 8.5

Среднее значение в тестах

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Причины выбрать
AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.7 13.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 66
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 16.7
Скорость записи, Гб/сек

9.5 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2432 1912

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

модули RAM