RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
75
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.8
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.1
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
41
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
7.8
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
1512
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT451U7AFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link