Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Kingston KVR533D2N4 512MB против Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    34 left arrow 75
    Около -121% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.3 left arrow 1,672.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 4200
    Около 6.1 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    75 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    1,943.5 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,672.1 left arrow 12.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    4200 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    301 left arrow 2584
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения