RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
50
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
37
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
9.5
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
1949
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link