RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
50
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.8
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.1
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
41
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
7.8
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
1512
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link