RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
50
Около -127% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
22
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3515
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link