RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
62
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.0
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
62
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
1586
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link