RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2455
3434
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link