RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
59
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
40
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
9.1
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2031
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link