RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
59
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2234
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link