RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
59
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2234
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link