RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
56
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
17.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
56
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2455
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
UMAX Technology 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link