Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

-->

Средняя оценка

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Средняя оценка

Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.7

Среднее значение в тестах

Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 59

Около -127% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.1 1,855.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,168.0 14.7
Скорость записи, Гб/сек

1,855.7 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

680 2670

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB

Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G

модули RAM