RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2481
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link