RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2481
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link