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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2481
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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