RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
12.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1966
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link