RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3550
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link