RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
13
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
39
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2808
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link