RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
17.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3198
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link